单晶硅晶格间距的测量技术进展及应用

单晶硅晶格间距是许多重要物理常数测量的基础。本文介绍了硅晶格间距测量技术的发展历程,包括X射线干涉仪直接测量和晶格比较仪间接测量两种方法,以及影响测量结果不确定度的关键因素。得益于晶格间距测量的进展,在纳米尺度,硅晶格间距被国际计量局(BIPM)批准成为新的米定义复现形式。最后介绍了硅晶格在计量学中的应用,以及基于硅晶格实现纳米几何量测量的溯源体系的研究趋势。     

场发射平板显示高低压电平转换电路

提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MH_z。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高压CMOS器件与0.8μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响。     

牛顿弦截法预估校正迭代格式的收敛阶

研究如下形式的牛顿弦截法的预估校正(P.C.)格式:P(预估):~xk+1=xk-(xk-xk-1)f(xk)f(xk)-f(xk-1)C(校正):xk+1=xk-(~xk+1-xk)f(xk)f~(xk+1)-f(xk)证明了它的收敛阶为2.618.     

Monte Carlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律

建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率. 关键词： 电子束曝光 MonteCarlo方法 低能电子散射 能量沉积     

基于二次插值的非饱和土壤水流问题的特征差分方法及数值模拟

本文针对一类非饱和土壤水流问题,提出了基于二次插值的特征差分格式,得到了严谨的L2模误差估计.并作了数值试验,指明方法的有效性.     

基于MPEG-4的视频流式传输系统及动态带宽分配方法

提出了一个基于MPEG 4精细可分级编码技术的视频流式传输系统。介绍了系统中主要模块的作用,并重点研究了速率控制模块。速率控制模块采用了适合视频流式传输的动态带宽分配方法。它可以根据实时的网络通道波动状况来动态调整滑动参数,以适应网络波动和高效地利用网络的有限资源。实验结果表明,动态带宽分配方法在动态带宽波动条件下不仅可以使相邻帧间的视频质量更加平滑,而且可以大大提高解码视频图像的总体质量,也就是说可同时改善解码视频的主客观性能。     

垃圾填埋场选址问题的模糊数学模型研究

为有助于在环境和经济框架内评价垃圾填埋场选址决策,本文建立了关于该问题的多目标模型,模型中既考虑了安置和运营设施需要的固定成本和可变成本,也考虑了居民区承受的风险,以及各居民区承担风险的公平性。并进一步讨论了用模糊方法处理的一般多目标规划模型的模糊最优解与有效解及弱有效解之间的关系。最后使用两种模糊目标规划方法求解数值例子以分析所建模型的适用性,结果表明,加权模糊方法可以为决策者提供更接近期望值的满意方案。     

睾酮类兴奋剂测定中一些β-葡萄糖醛酸甙酶酶解能力的比较

睾酮是国际奥委会规定禁用的99种兴奋剂之一,由于睾酮是内源性激素,因此不能靠定性来判断运动员是否服用了睾酮,在人体激素代谢中,产生睾酮差向异构体——表睾酮,在男性黄种人中睾酮与表睾酮浓度比约为1:1,白种人中略高一些,根据这一情况,国际奥委会规定,人尿中睾酮与表睾酮之间浓度比不得超过6:1,尿中排泄出的睾酮和表睾酮是以葡     

2,2’—二硫代双(4,6—二叔丁基苯酚)的晶体和分子结构

一种塑解剂经高压液体色谱分离制备出主要成份2,2′—二硫代双(4,6二叔丁基苯酚)。由质谱分析得到分子量为474化学式为C_(28)H_(2)O_2S_2、晶体呈现孪生。基体单晶属三斜晶系,空间群为(?)PI(NO.2),晶体结构用直接法解出,=0.07。研究结果表明该分子是二硫代酚类化合物。在EI场中,S—S键断裂是主要断裂过程。晶体中,分子的一个环上的羟基是无序分布的。羟基与最邻近的硫原子形成氢键。     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟